FQA55N10 TO-3P 61A 100V 190W 0.026Ω N-CHANNEL MOSFET
Ön Sipariş vermek için lütfen bizimle iletişime geçiniz.
Type Designator: FQA55N10
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 190 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 61 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 75 nC
Rise Time (tr): 250 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 640 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.026 Ohm
Package: TO-3P
Bu ürün hakkında soru yok, ilk soru olan siz olun ve sorunuzu sorun.
Kargo Ücreti ve Gönderimi
Siparişleriniz Anlaşmalı olduğumuz Yurtiçi Kargo ile tarafınıza gönderilmektedir.Kargo ücreti satın almış olduğunuz ürün hacmine göre fiyat değişikliği gösterebilmektedir.
Kargo ücretini sipariş aşamasında görebilirsiniz. Detaylı Bilgi
Kurumsal Toptan Sipariş Teklifi
Toptan siparişleriniz için lütfen info@elektronikal.com adresinize sipariş edeceğiniz ürün listenizi gönderebilirsiniz. Detaylı Bilgi
Sipariş Takibi
Sipariş takibinizi sayfamızın sağ üst köşesinde bulunan 'Sipariş Takibi' butonuna tıklayarak öğrenebilirsiniz. Detaylı Bilgi
Ödeme Seçenekleri
Kredi Kartı ve Banka Havale/EFT ile ödeme yapabilirsiniz. Detaylı Bilgi
İade Şartları
Arıza / İade / Değişim işlemleri için tarafımıza ürün gönderimi yapmadan önce "Arıza / İade / Değişim Formu" nu eksiksiz şekilde doldurabilirsiniz. Detaylı Bilgi